零電壓開關技術提升降壓穩(wěn)壓器性能
降壓穩(wěn)壓器的關鍵要求通常是尺寸和效率。由于印制電路板面積彌足珍貴，沒有誰愿意分配額外的空間給功率設計方案。此外，由于單片機和數字信號處理器（DSP）不斷推陳出新，電路板設計方案也不斷升級，盡管功率有所增加，但產品尺寸卻不能增大了。因此，高密度穩(wěn)壓器便順著最新IC集成技術、MOSFET及封裝工藝的改良而不斷發(fā)展。
縱使這樣，這些穩(wěn)壓器還是無法滿足新系統(tǒng)的應用要求。尤其是系統(tǒng)內部的功率密度正日益提高。其主要原因是開關損耗阻礙穩(wěn)壓器MOSFET的內部性能。同時，需要更高的Vin/Vout轉換比例及更高的開關頻率。如果不從根本上解決這些問題，那么只能期望些微的性能提升。
Picor引入一個高性能、高度集成、軟開關降壓穩(wěn)壓器平臺，可高頻工作，大幅度地降低開關損耗，提高效率。Picor的PI33xx采用零電壓開關（ZVS）拓撲允許在更高頻率和更高輸入電壓進行操作，而且不會犧牲效率。同傳統(tǒng)穩(wěn)壓器采用的硬開關拓撲相比，零電壓開關（ZVS）拓撲是一種軟開關拓撲。同傳統(tǒng)穩(wěn)壓器相比，PI33xx的軟開關技術具有更高的效率以及更高的密度性能。零電壓開關（ZVS）拓撲通常是成就高性能隔離電源的因素。在PI33xx內部集成零電壓開關（ZVS）拓撲，這是業(yè)界首次設計創(chuàng)新。
不妨對傳統(tǒng)降壓拓撲與采用零電壓開關（ZVS）拓撲的PI33xx進行直接對比。首先，常用的方法是在完整開關周期起始處，高端MOSFET得到指令而導通。在導通之前，有電流流經輸出電感器和同步MOSFET。為了避免兩個MOSFET的交叉?zhèn)鲗В陉P閉同步MOSFET和開啟高端MOSFET之間存在一個微妙的平衡。
PI33xx之所以能夠解決傳統(tǒng)穩(wěn)壓器的高導通損耗問題，是因為在高端MOSFET導通之前，避免高電流體二極管傳導；使高端MOSFET的漏極-源極電壓為零或接近零，而且不產生高電流尖脈沖或有破壞性的振鈴。針對Q1的零電壓開關（ZVS）動作，在Q1導通時可以消除米勒效應，允許在導通時使用更小的驅動器或更低的柵極驅動。
通過改進開關拓撲，能夠以更高的效率和更小的尺寸，實現對更高電壓的穩(wěn)壓。通過PI33xx中的零電壓開關（ZVS）拓撲，Picor為工程師提供了一款高性能降壓穩(wěn)壓器，可以將36Vin直接調節(jié)至3.3V，另外，導通時間最短20ns，支持36:1的高比率轉換，這是傳統(tǒng)硬開關高密度穩(wěn)壓器所難達到的。
圖1給出PI3301(PI33xx系列產品的3.3V版本)與業(yè)界常用高密度穩(wěn)壓器對比的效率性能。PI3301采用零電壓開關（ZVS）或軟開關拓撲，而競爭產品則采用硬開關拓撲，圖1中給出輸入電壓分別是12V、24V和36V時的效率性能。從圖1中的對比可以看出，硬開關穩(wěn)壓器在較高輸入電壓時效率退化。這個效率退化是硬開關拓撲中開關損耗帶來的直接結果。
PI33xx系列產品工作頻率在1.5MHz以上，是傳統(tǒng)高密度穩(wěn)壓器的2～3倍。在更高的頻率工作不僅降低無源組件的尺寸，而且降低外部濾波組件的尺寸，并允許對輸入瞬態(tài)和負載瞬態(tài)做出快速動態(tài)響應。
Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器非常容易使用。只需輸入/輸出電容，和一個輸出電感就是所有需要外加的元件，無需外部參數設置。引腳對引腳兼容，可很容易的轉換更高或更低電流的元件，只需以“拿掉-貼上”的方式布線。如果另有其他功能，增加不同應用的靈活性。
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